在半导体芯片的制造过程中，需要在晶圆表面上生长数层材质不同、厚度不同的薄膜，包括导电膜层以及绝缘膜层等。薄膜的材料一般是厚度介于单原子到几毫米之间的薄金属或有机物层。常见的薄膜生长技术可以分为物理方法和化学方法。根据不同的作用和位置，薄膜生长技术可以包括热氧化法、化学气相沉积以及物理气相沉积等。薄膜的制备是半导体集成电路制造过程中的重要环节。
在半导体晶圆上形成薄膜的方法，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法可以有效提高薄膜的质量。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成所述薄膜时，所述半导体晶圆上的温度分布；根据所述温度分布加热所述半导体晶圆，而在所述半导体晶圆上形成多个温度区；以及在所述半导体晶圆上形成薄膜。
所述温度分布中，离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越高；离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越低；离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先升高后降低；或者离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先降低后升高。
各类有序周期结构材料在光电器件、光催化、生物传感、分子的吸附和分离，以及光子晶体等化学、物理以及生物的众多领域产生了非常大的应用价值。这些薄膜材料的制备方法主要包括:微加工刻蚀技术、全息干涉法、光刻法、以及模板-填充法和自组装方法等。对于微加工刻蚀技术、全息干涉、光刻等制备方法来说，其制备工艺复杂、制备成本昂贵，制备尺寸只有微米量级等缺点，开发价廉且具有大规模生产能力的自组装工艺方法是多类学科的研宄重点之一。
